SK하이닉스가 극자외선(EUV) 노광장비를 대량 도입한다. 초미세 반도체 회로 구현에 필수인 EUV 노광장비를 2027년까지 약 20대를 반입해 지금보다 규모를 2배 확대할 계획이다. 차세대 D램과 고대역폭메모리(HBM) 등 반도체 제조 역량을 키우려는 시도로, 대규모 투자가 임박했다.
24일 업계에 따르면 SK하이닉스는 향후 2년 내로 EUV 노광장비를 20여대 추가할 계획이다. 현재 SK하이닉스가 보유한 EUV 장비는 연구개발(R&D)용을 합쳐 총 20대 수준이다. 계획대로라면 2년 후 EUV 장비 보유 대수는 2배 확대된다.
EUV 장비는 대당 3000억~5000억원에 달하는 고가다. 전 세계에서 네덜란드 ASML이 유일 생산하고 있다. 대당 가격을 토대로 추산하면 자영업자 햇살론 SK하이닉스의 EUV 장비 투자 규모는 최소 6조원 이상이 될 전망이다.
회사는 EUV 장비를 순차 도입, 청주 M15X 공장(팹)과 이천 M16 팹에 각각 분산 배치할 예정으로 알려졌다. 올 연말 가동이 목표인 M15X에 먼저 설치하고, M16은 공정 전환(테크 마이그레이션) 로드맵에 맞춰 EUV 장비를 반입할 방침이다.
상여금 이 사안에 정통한 업계 관계자는 “SK하이닉스가 신규 EUV 생산라인 가동 시점을 앞당기려고 한다”며 “EUV 장비 반입 속도를 높이기 위해 ASML과 긴밀히 협의 중”이라고 전했다.



SK하이닉스는 지난 3일 차세대 반도체 노광 장비인 '하이 NA EUV' 장비 반입 기 대출모집인통합조회 념 행사를 열었다. (왼쪽 다섯 번째부터 김병찬 ASML코리아 대표이사 사장, 김성한 SK하이닉스 구매 담당 부사장, 차선용 〃 미래기술연구원장 부사장, 이병기 〃 제조기술 담당 부사장)


EUV 장비는 10나노미터(㎚) 안팎의 초미세 회로를 새기는 첨단 장비다. ASML이 독점 공급하고 있기 때문에 경기도 소상공인 글로벌 반도체 제조사들이 줄을 서서 구매할 만큼 확보가 어렵다.
지난해 말 기준으로 가장 많은 EUV 장비를 도입한 곳은 대만 TSMC다. 이 뒤를 삼성전자(한국), 인텔(미국), SK하이닉스(한국), 마이크론(미국)이 잇고 있다.
SK하이닉스는 2021년 10㎚급 4세대 D램인 '1a(약 14㎚)' 제조 때 첫 EUV 러시앤캐시 무직자 를 도입한 뒤 보유수를 점진적으로 늘려왔다.
SK하이닉스가 20대를 추가 도입 할 경우 인텔과 유사하거나 앞질러 세계 3번째로 많은 EUV 장비를 확보한 기업이 될 것으로 보인다.



SK하이닉스 이천 M16


SK하이닉스의 EUV 장비 확충은 차세대 D램과 고대역폭메모리(HBM) 생산성을 강화하려는 포석이다. EUV로 반도체를 만들면 보다 미세한 회로를 구현, 웨이퍼 당 칩 생산량을 늘리고 전력 효율과 성능을 키울 수 있어서다.
우선 올 연말 양산 목표인 HBM4용 10나노급 5세대 D램(1b)과, 양산 준비 중인 6세대 D램(1c) 제조 경쟁력을 키울 것으로 관측된다. 이들 제품은 SK하이닉스의 내년 주력 먹거리들이다.
회사는 나아가 7세대 D램(1d)과 10나노급 이하 D램에서도 EUV를 활용할 전망이다. 이들 제품은 상용화되지 않은 차세대 메모리다.
메모리 시장 주도권을 이어가기 위한 전략으로, 업계에서는 SK하이닉스 1d가 이르면 내년 양산 이관될 것으로 예상하고 있다.



ASML 극자외선(EUV) 노광장비


SK하이닉스의 EUV 증설은 국내외 소재·부품 업계에도 큰 파급력을 미칠 전망이다. 노광기 구입에만 최소 6조원이 투입되는 데다, 노광장비 확대는 곧 EUV 전용 소재와 부품 수요 증가를 의미해서다. 대표적으로 EUV 노광에는 전용 감광액(PR)과 세정액(린스) 등이 사용된다.
SK하이닉스는 JSR·듀폰·SK머티리얼즈퍼포먼스 등으로부터 EUV PR를 공급받고 있다. EUV 린스는 머크, 와이씨켐이 공급망에 진입했다. 실제 SK하이닉스는 협력사들과 소재·부품 확대 방안에 대해 논의한 것으로 전해졌다.
SK하이닉스는 EUV 장비 투자에 대해 “구체적 계획은 확인해 줄 수 없다”고 밝혔다.
권동준 기자 djkwon@etnews.com